一、碳化硅场效应晶体管技术与特性研究（论文文献综述）
高伟,赵璐冰[1]（2021）在《SiC MOSFET功率器件标准研究》文中研究表明本文结合SiC MOSFET国际标准进展,分析了阈值电压漂移、偏压温度不稳定性、体二极管退化测试标准的制定难点;同时,根据国内外产业发展现状、我国技术标准进展,分析了测试设备精度、新型封装、动态可靠性等关键问题与标准制定面临的挑战,并提出了首先定位团体标准制定的工作机制,以期以技术标准的研制支撑产业的市场化发展。
闫美存,张秋[2]（2021）在《SiC MOSFET参数体系及测试方法研究》文中研究表明通过介绍SiC MOSFET的器件特性,重点研究了与Si基器件有不同特性的关键参数,如阈值电压、体二极管参数及短路参数,提出了全面、科学的SiC MOSFET参数体系;通过分析国内外测试方法现状及其适用性,对与SiC MOSFET自身特性有关的参数,如阈值电压、阈值电压稳定性等参数,进行了测试方法的重点研究。
蔡蔚,孙东阳,周铭浩,郭庆波,高晗璎[3]（2021）在《第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状》文中研究说明近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。
曹克阳[4]（2021）在《基于PVP纳米阵列与隧道结构共存的光调控有机场效应晶体管存储器》文中认为
许景龙,刘佳[5]（2021）在《微电子器件材料和工艺的专利分析》文中提出[目的 /意义]面向我国信息化战略和集成电路重大需求,基于专利文献分析把握微电子器件材料和工艺的发展现状和趋势。[方法 /过程]以德温特世界专利索引数据库2000-2020年的专利为基础,从三个层次进行专利分析:（1）宏观上对专利数量、时间趋势等进行基本统计分析;（2）中观上对专利国家/地区、专利权人以及研发团队合作关系等进行关联分析;（3）微观上利用Citespace分析关键材料和工艺的主题演化进程和发展趋势。[结果/结论 ]美国微电子器件材料和工艺专利量领先全球;全球形成以IBM-三星、日本日立和荷兰飞利浦为中心的美日欧三个研发团体,且美日间合作关系较强;传统复合材料、化合物材料已趋于成熟,新型半导体材料、纳米线、纳米管以及石墨烯及其衍生物等材料是未来研发重点。本文能弥补未总结微电子器件关键材料和工艺的研究空白,为我国相关技术发展提供参考和启示。
潘茂林[6]（2020）在《基于GaAs工艺的射频功率放大芯片设计》文中研究表明信息科技的飞速发展极大地影响和改变着很多人的生活方式。数据流量快速增长的同时也要求更快的通信速率、更低的时延和更可靠的通信质量。为了满足这些要求,从4G的LTE开始到即将商用的5GNR都采用了OFDM多载波调制技术,该调制技术具有很高的PAR,这就要求位于射频前端的功率放大芯片在较多的输出回退范围内保持较小的信号传输错误率和较高的效率。因此适用于移动通信设备的多模、多频段且满足低失真、高效率、小型化、低成本的射频功率放大芯片拥有广阔的应用市场,具有很高的研究价值和意义。在分析了基本阻抗匹配理论的基础上,本文借助史密斯圆图进一步研究了多种宽带阻抗电路,并对这些电路的实现方式和阻抗变换过程进行了讨论。这些阻抗匹配电路均由无源器件组成,可以在保持较低插入损耗的基础上实现从窄带到宽带匹配的扩展。宽带匹配方法在本文提出的宽带功率放大芯片电路中被广泛使用并实现了预期的目标。另外,电路中还在输出匹配前端采用了逆F类功率放大器中常见的谐波抑制通路来滤除二次谐波,提高功率放大电路的线性度。本文基于Ga As HBT工艺设计了一款应用于GSM/CDMA/WCDMA/LTE通信Band-1/2/3/4/34/39的多模多频端射频功率放大芯片。芯片采用了倒扣的装配方式来减小寄生参数,增大可靠性。该功率放大芯片采用两级设计,包括驱动级和功率级,工作频率为1.71GHz～2.05GHz。通过多级匹配增大带宽,实现了对GSM/CDMA/WCDMA/LTE中多个上行频段的覆盖。测试结果表明,在整个工作频率范围内功率放大增益约为30d B。芯片集电极给定电压为3.5V,输出功率为28d Bm,采用10MHz 50RB QPSK LTE信号测试时,功率附加效率（PAE）约为37%,邻信道泄漏比（ACLR）约为-38d Bc。芯片尺寸为0.755mm×0.8mm。
陈文鑫[7]（2020）在《基于高空穴迁移率共轭聚合物的分子堆积行为和有机光电器件性能的研究》文中研究说明具有共轭结构的高迁移率聚合物经历了长足的发展,已经在有机场效应晶体管（OFETs）,有机光伏电池（OPVs）和有机光探测器（OPDs）等光电器件的研究领域引起了广泛关注。高迁移率共轭聚合物的溶解性良好,因而适用于低成本的溶液加工工艺,并且具有可制备大面积的、柔性基板的、便携式的电子器件的应用潜能。不同于传统无机半导体材料,共轭聚合物作为新一代半导体材料,具备突出的应用兼容性,可以充分弥补无机半导体材料在不同应用场景的短板。聚合物半导体中有机结构的多样性丰富了材料的设计思路,但是部分材料本身存在合成步骤繁琐,提纯难度大,成品产率低等问题,增加了研究成本、时间和能耗。另一方面,从固体物理学出发,充分利用现有材料的内在特性,可以大幅缩短高性能器件的研发周期和成本。基于此,本文将围绕具有代表性的高空穴迁移率共轭聚合物开展研究,结合共轭聚合物材料性质、有机电子器件加工工艺和器件性能三者间的关系,提出优化器件性能的可行性策略。在第二章中,制备了一系列高空穴迁移率共轭聚合物FBT-Th4（1,4）的薄膜样品,并且结合掠入式X射线衍射（GIXD）测试,系统地分析了加工溶剂、器件基板、聚合物分子量、膜厚以及富勒烯衍生物对聚合物的分子堆积行为的影响。在加工溶剂方面,其影响最为突出,由氯苯（CB）加工制备的聚合物薄膜的分子取向为edge-on,而由混合溶剂（CB:o-DCB）或邻二氯苯（o-DCB）制备的样品呈现出一种face-on和edge-on共存的bimodal取向,总体趋势表现为:增加邻二氯苯含量能使聚合物的face-on取向度和晶粒尺寸都明显增大。在器件基板方面,基于PEDOT:PSS基板和OTS基板制备的聚合物薄膜呈现出类似的加工溶剂依赖性,而双界面层Zn O/PFN-Br基板样品的溶剂依赖性则不明显。在聚合物膜厚方面,膜厚为60 nm样品的edge-on取向度明显高于膜厚为300nm样品,由此可见edge-on取向更易于分布在靠近基板侧。当聚合物与富勒烯衍生物共混,在富勒烯分子的诱导作用下,聚合物获得了一定量的face-on取向。不同于上述四点,聚合物的分子堆积行为受分子量的影响相对较小。除此之外,由12个聚合物薄膜样品的GIXD测试结果,可以观察到（100）衍射峰的相干长度的改变能够很好地描述聚合物的分子堆积取向行为。第三章的研究立足于前面的发现----聚合物FBT-Th4（1,4）的分子堆积行为具有溶剂调控性,因此继续选择这种共轭聚合物作为研究对象,分别制备了有机场效应晶体管,SCLC单载流子器件,聚合物光伏电池,并且探究了不同加工溶剂对聚合物的载流子传输能力和器件光电转换性能的影响。氯苯加工制备的OFETs的空穴迁移率为0.24cm2V-1s-1,混合溶剂和邻二氯苯加工制备的OFETs的空穴迁移率显着升高,分别为0.79cm2V-1s-1和1.35 cm2V-1s-1。对于SCLC空穴传输器件,加工溶剂由氯苯转变为邻二氯苯,器件的空穴迁移率获得一个数量级的增益。对于聚合物:富勒烯光伏电池,由混合溶剂加工制备器件的能量转化效率超过10%,短路电流超过20 m A cm-2。由邻二氯苯加工制备器件的填充因子可以超过70%。受益于这种可溶剂调控性,聚合物获得edge-on与face-on共存的bimodal分子取向,聚合物的载流子输运能得以优化,促成了3D电荷传输网络的形成,并获得最佳的器件性能参数。在第四章中,采用一种由高空穴迁移率共轭聚合物Si25和窄带隙非富勒烯受体分子IEICO-4F构筑的本体异质结共混膜,作为器件的光活性层。这种本体异质结在倒装结构的太阳电池中可以表现出较好的能量转化效率,而在正装结构的光探测器件中呈现出更低暗电流密度和更宽的光谱响应范围。采用厚活性层策略可以进一步抑制器件的暗电流密度,器件在790 nm～950 nm的近红外波段的探测率超过了1×1013 Jones,并且在高频区,分别由暗电流和噪声电流计算的探测率数值十分接近。以940 nm近红外发光二极管为探测光源表征光活性层厚度为350 nm的正装Si25:IEICO-4F光探测器件,器件的线性动力学范围可达到130 d B,截止频率大于300k Hz,响应时间低于2.4s。基于本体异质结Si25:IEICO-4F,合理选择器件结构和优化策略,器件的探测性能大幅提升,并有望在近红外光探测领域获得更广阔的应用。
王立娜,唐川,徐婧[8]（2020）在《未来芯片技术发展态势分析》文中研究说明半导体集成电路是现代信息产业的基石,但主导其发展的摩尔定律正遭遇物理学和经济学双重限制,致使传统的硅基电子技术临近发展极限,亟需采用新型芯片技术推动未来信息产业持续蓬勃发展。各国政企积极布局一系列未来芯片技术,抢占国际半导体技术战略制高点。本文梳理了一批主要未来芯片技术,剖析了这些芯片技术的当前发展现状、所处的成熟度阶段和市场应用前景。最后,对我国未来芯片技术的发展提出了建议,以期为我国相关研究工作提供参考。具体建议包括制定未来芯片技术发展规划,打破国外垄断格局;梯次推进未来芯片技术发展,平衡新技术发展面临的机遇与风险;重点推动存内计算技术研发和商业化,缓解我国芯片技术卡脖子问题。
余开浩[9]（2019）在《热场与电子束辐照作用下氧化硅及碳化硅表面结构演变的原位研究》文中研究说明信息技术的高速发展迫使半导体器件不断缩小尺寸以提高信息处理和传输能力。当器件尺寸缩小到纳米量级时,表面效应逐渐主导其性能。在原子尺度下探明材料表面结构的演变规律,探索表面结构的按需构筑,构建材料表面结构与性能之间的对应关系,对研发高性能半导体器件具有重大意义。本论文基于原位透射电子显微学方法,以在半导体器件中有重要应用的硅基材料（氧化硅与碳化硅）为对象,研究了在电子束辐照与热场作用下材料表面结构演变规律及机理。主要的研究内容和结果如下:1.无定形氧化硅表面生长晶体硅的原位研究。（1）原子尺度下原位观察了无定形二氧化硅在电子束辐照下经非晶亚氧化硅颗粒生成晶体硅颗粒的动态过程。（2）定量分析发现高温下电子束辐照能量越低生成晶体硅的临界剂量越低,可以从108C m-2（室温,300 keV）下降到105 C m-2（600°C,80 keV）,为提高电子束直写速率提供了参考。（3）揭示了电子束辐照下晶体硅的生成机理:氧化硅中总的原子弹性散射截面大于晶体硅中的截面,晶体硅有效自由能降低使相稳定性发生反转,致使氧化硅中的硅原子自组织形成晶体硅。2.原子尺度下生长过程中碳化硅表面结构演变的原位研究。（1）高温下利用电子束辐照在透射电镜中实现了原位气–固沉积碳化硅。（2）揭示了碳化硅颗粒生长过程中表面能驱动的结构演变规律:β-SiC晶体沿<111>晶向逐层生长,表面趋向于形成低能{111}面;多个层错的生长促使β-SiC转变成α-SiC,{111}小晶面的形成促使原子台阶沿α-SiC晶体<1-100>晶向发生聚并;高能的α-SiC{1-100}表面向由倾斜{111}小晶面构成的低能山–谷（Hill-and-valley）结构演变,导致沿[0001]晶向的投影轮廓由六边形向三角形转变。（3）典型α-SiC（6H-SiC、4H-SiC）表面由于{111}小晶面形成而导致沿[1-100]晶向产生半个和一个晶胞高的笔直台阶;沿[11-20]晶向产生半个晶胞高的锯齿状台阶。3.原子尺度下刻蚀过程中碳化硅表面外延石墨烯的原位研究。（1）高温下利用电子束辐照实现了碳化硅洁净表面的原位制备。（2）结合原位透射电子显微学方法与第一性原理分子动力学计算,在原子尺度揭示了石墨烯在碳化硅（1-100）表面外延生长的机理:三层碳化硅由外及里逐层分解形成单层石墨烯;第一层碳化硅分解后在表面生成碳团簇（短链、六元环）,这些团簇是石墨烯生长的晶核;第二层分解产生的碳原子将团簇连接形成一个带有多个大孔洞的碳网络;第三层分解释放的碳原子通过进一步相互作用使碳网络中的孔洞消失,最终形成一层完整的石墨烯。
杨瑞龙[10]（2019）在《CVD法合成硫化钨及其合金材料的光电探测性能研究》文中研究说明二维过渡金属硫族化合物（TMDC）,最常见的如WS2和MoS2,由于其光学透明性,高载流子迁移率,宽带可调带隙和强的光相互作用等独特的性质,为下一代光电子学开辟了新的道路。本文基于层数和合金化调节材料的电子能带结构来进行光电探测性能研究,主要采用化学气相沉积法（CVD）,通过调控生长条件,合成单层WS2、双层WS2及多层WS2晶体,更进一步,合成单层Mo1-xWxS2梯度合金,进而对它们的光电探测性能进行研究。主要研究内容如下:（1）通过改进的化学气相沉积方法生长了大面积的双层和单层硫化钨（WS2）晶体,利用拉曼和光致发光（PL）光谱研究了晶体结构和物理特性,发现生长的双层和单层硫化钨（WS2）晶体具有较高的质量。接着对比了双层和单层硫化钨（WS2）光电晶体管的光电探测性能,发现双层硫化钨（WS2）光电晶体管表现出卓越的光电探测性能,其光响应率、光电导增益和光探测率分别高达3×103 A/W,1.4×104和5×10122 Jones。而且通过栅压调控,双层WS2光电晶体管的光响应率可以进一步提高到1×104 A/W。此外,双层WS2光电晶体管还表现出小于100μs的高响应速度,4kHz的大带宽,超过105个循环的高循环可靠性,以及空间均匀的光响应性。（2）通过二步化学气相沉积法大规模地生长了2H和3R堆垛的多层硫化钨（WS2）晶体,利用像差校正扫描透射电镜（AC-STEM）对多层WS2晶体进行表征,高角度环形暗场（HAADF）图像确定了这2种堆垛方式;利用拉曼和光致发光光谱研究了多层WS2晶体的层数和堆垛效应。此外,本文还研究了在圆偏振激发下来自两种堆垛WS2晶体的圆偏振发光,显示出这些CVD生长的多层WS2晶体具有明显的自旋或谷极化。最后对一些层数（2H和3R）堆垛的WS2晶体的光电探测性能进行了初步的探究。（3）设计了一种通过化学气相沉积技术生长具有大畴尺寸（横向尺寸高达300μm）和高晶体质量的单层Mo1-xWxS2梯度合金的简便方法。利用拉曼和光致发光光谱以及像差校正扫描透射电镜（AC-STEM）表征了生长的单层Mo1-xWxS2合金在单个区域中具有从x=0到1的W的梯度组成,并且带隙中的跨度可以容易地调整。由于能带偏移的分级,组成梯度的单层Mo1-xWxS2合金表现出优异的整流效果,正向电流与反向电流之比高达104。此外,基于组成梯度的单层Mo1-xWxS2的光电晶体管在可见光状态下表现出高达298.4 A/W的高响应率,特别是在近红外区域（1064 nm）中,由于热电子的注入,表现出28.7 A/W的良好响应率。
二、碳化硅场效应晶体管技术与特性研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、碳化硅场效应晶体管技术与特性研究（论文提纲范文）
（1）SiC MOSFET功率器件标准研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 典型参数测试及国际标准分析 |
| 2.1 阈值电压标准制定分析 |
| 2.2 偏压温度不稳定性标准制定分析 |
| 2.3 体二极管退化标准制定分析 |
| 3 国内外产业进展及我国标准现状 |
| 3.1 Si C电力电子国内外产业进展 |
| 3.2 我国Si C MOSFET标准进展 |
| 4 标准制定相关问题分析 |
| 4.1 测试设备精度 |
| 4.2 新型封装材料与结构 |
| 4.3 应用电路中面临的动态可靠性 |
| 5 结语 |
（2）SiC MOSFET参数体系及测试方法研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 SiC MOSFET器件特性 |
| 3 SiC MOSFET参数体系研究 |
| 3.1 关键参数 |
| 3.1.1 阈值电压 |
| (1)阈值电压稳定性△VGS(th) |
| (2)推荐栅-源电压VGSop |
| 3.1.2 体二极管参数 |
| 3.1.3 短路耐受时间及短路电流 |
| 3.2 参数体系 |
| 3.2.1 额定值参数 |
| 3.2.2 静态电特性参数 |
| 3.2.3 动态电特性参数 |
| 3.2.4体二极管参数 |
| 3.2.5热特性参数 |
| 4 SiC MOSFET测试方法研究 |
| 4.1 国内外测试方法现状 |
| 4.2 SiC MOSFET测试方法 |
| 4.2.1 额定值验证 |
| 4.2.2 栅-源阈值电压VGS(th) |
| 4.2.3 栅-源阈值电压稳定性△VGS(th) |
| 4.2.4 其他 |
| (1)漏-源导通电阻 |
| (2)栅极漏电流 |
| (3)漏-源反向电压/正向电压、连续正向电流 |
| 5 结语 |
（3）第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状（论文提纲范文）
| 1 第三代宽禁带功率半导体的战略意义 |
| 2 第三代宽禁带功率半导体的发展现状 |
| 2.1 Si C单晶材料的发展现状 |
| 2.2 Si C功率器件的发展现状 |
| 2.3 Ga N功率器件的发展现状 |
| 3 第三代半导体应用成果 |
| 3.1 Si C器件应用成果 |
| 3.2 Ga N器件的应用成果 |
| 4 第三代半导体的发展趋势及关键问题 |
| 5 结论 |
（5）微电子器件材料和工艺的专利分析（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 1.1 场效应晶体管 |
| 1.2 新型存储器 |
| 1.3 新型传感器 |
| 2 数据来源与研究方法 |
| 3 专利态势分析 |
| 3.1 趋势分析 |
| 3.2 区域分布 |
| 3.2.1 国家/地区分布 |
| 3.2.2 优先权国家/地区分布 |
| 3.3 机构分布 |
| 3.4 合作分析 |
| 4 关键材料和工艺前沿热点分析 |
| 5 总结 |
（6）基于GaAs工艺的射频功率放大芯片设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文的主要内容和结构安排 |
| 1.3.1 主要内容 |
| 1.3.2 论文章节安排 |
| 第二章 射频功率放大器基础理论 |
| 2.1 射频功率放大器的参数定义 |
| 2.2 射频功率放大器的非线性指标 |
| 2.2.1 谐波失真 |
| 2.2.2 AM-AM/AM-PM |
| 2.2.3 双音信号互调 |
| 2.2.4 n阶截断点IPn/OPn |
| 2.2.5 邻信道功率比(ACPR) |
| 2.2.6 误差矢量幅度EVM |
| 2.3 射频功率放大器的工作种类 |
| 2.3.1 A类、B类、AB类和C类射频功率放大器 |
| 2.3.2 D类射频功率放大器 |
| 2.3.3 E类功率放大器 |
| 2.3.4 F类功率放大器 |
| 2.3.5 G类功率放大器 |
| 2.4 射频功率放大芯片的材料和工艺 |
| 2.4.1 双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT) |
| 2.4.2 异质结双极型晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT) |
| 2.4.3 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET) |
| 2.4.4 金属氧化物场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET) |
| 2.4.5 高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT) |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 射频功率放大器宽带阻抗匹配设计 |
| 3.1 阻抗匹配基础 |
| 3.2 串联和并联网络的阻抗变换 |
| 3.2.1 电容和电感网络的窄带等效电路 |
| 3.2.2 电容和电感抽头枝节网络 |
| 3.3 宽带阻抗匹配网络 |
| 3.3.1 利用梯形带通滤波器电路实现宽带匹配 |
| 3.3.2 利用多阶级联网络实现宽带匹配 |
| 3.3.3 利用T型桥接电路实现宽带匹配 |
| 3.3.4 利用巴伦(Balun)实现宽带匹配 |
| 3.4 阻抗匹配中的传输线 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 GaAs HBT工艺射频功率放大芯片设计和测试 |
| 4.1 射频功率放大芯片的设计指标 |
| 4.2 射频功率放大芯片电路方案和设计 |
| 4.2.1 设计工艺的选择 |
| 4.2.2 晶体管的直流特性仿真 |
| 4.2.3 线性化自适应偏置电路设计 |
| 4.2.4 宽带匹配电路设计 |
| 4.2.5 射频功率放大芯片电路设计 |
| 4.3 射频功率放大芯片电路原理图仿真 |
| 4.3.1 原理图直流特性和小信号S参数仿真 |
| 4.3.2 原理图大信号特性的谐波平衡仿真 |
| 4.4 射频功率放大芯片电路版图仿真 |
| 4.4.1 版图直流特性和小信号S参数仿真 |
| 4.4.2 版图大信号特性的谐波平衡仿真 |
| 4.5 射频功率放大芯片性能测试和分析 |
| 4.5.1 测试所需仪器和测试方案 |
| 4.5.2 直流特性和小信号S参数测试 |
| 4.5.3 大信号射频性能测试 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 本文总结 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 |
| 致谢 |
（7）基于高空穴迁移率共轭聚合物的分子堆积行为和有机光电器件性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高迁移率有机半导体简介 |
| 1.2.1 分子工程 |
| 1.2.2 加工工程 |
| 1.2.3 界面工程 |
| 1.3 聚合物光伏电池和聚合物近红外光探测器简介 |
| 1.3.1 聚合物光伏电池和聚合物近红外光探测器的器件结构 |
| 1.3.2 聚合物光伏电池和聚合物近红外光探测器的工作原理 |
| 1.3.3 聚合物光伏电池的基本参数 |
| 1.3.4 聚合物近红外光探测器的基本参数 |
| 1.4 基于高迁移率聚合物的有机光电器件制备与表征 |
| 1.4.1 有机光电器件的制备方法 |
| 1.4.2 有机光电器件的表征方法 |
| 1.5 本文的研究内容和研究意义 |
| 第二章 基于高空穴迁移率共轭聚合物的分子堆积行为的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料和试剂 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 实验流程 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 共轭聚合物FBT-Th_4(1,4)的紫外-可见光吸收光谱分析 |
| 2.3.2 共轭聚合物FBT-Th_4(1,4)的GIXD分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于高空穴迁移率共轭聚合物的有机场效应晶体管和聚合物光伏电池研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料和试剂 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.2.3 实验流程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 聚合物有机场效应晶体管性能 |
| 3.3.2 聚合物空间电荷限制电流单载流子器件性能 |
| 3.3.3 聚合物:富勒烯光伏电池的器件性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于高空穴迁移率共轭聚合物的近红外光有机光探测器研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料和试剂 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.2.3 实验流程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 光活性层材料的吸收光谱表征 |
| 4.3.2 基于Si25:IEICO-4F本体异质结器件的光电特性表征 |
| 4.3.3 基于Si25:IEICO-4F本体异质结器件的近红外光探测性能表征 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（8）未来芯片技术发展态势分析（论文提纲范文）
| 1 未来芯片技术发展现状 |
| 1.1 新型晶体管技术 |
| 1.1.1 新架构晶体管技术 |
| 1.1.2 新材料晶体管技术 |
| 1.2 新型存储器芯片技术 |
| 1.3 新架构芯片技术 |
| 1.3.1 存内计算芯片 |
| 1.3.2 深度神经网络专用芯片 |
| 1.3.3 神经形态芯片 |
| 1.3.4 量子计算芯片 |
| 1.3.5 光电集成芯片 |
| 2 未来芯片技术成熟度 |
| 3 未来芯片技术的市场前景 |
| 4 启示与建议 |
| 1)制定未来芯片技术发展规划，打破国外垄断格局 |
| 2)梯次推进未来芯片技术发展，平衡机遇与风险 |
| 3)重点推动存内计算技术研发和商业化，缓解卡脖子 |
（9）热场与电子束辐照作用下氧化硅及碳化硅表面结构演变的原位研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 原位透射电子显微学方法的特点与意义 |
| 1.3 硅基材料(氧化硅,碳化硅)表面结构演变的研究现状 |
| 1.3.1 氧化硅表面结构演变的研究 |
| 1.3.2 碳化硅表面结构演变的研究 |
| 1.4 本论文的研究内容与意义 |
| 第二章 原位透射电子显微学 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电子束与样品作用机制 |
| 2.2.1 电子束与样品作用产生的信号 |
| 2.2.2 电子束辐照引起的弹性损伤 |
| 2.2.3 电子束辐照引起的非弹性损伤 |
| 2.3 透射电子显微镜的高分辨成像原理 |
| 2.4 原位透射电子显微学的研究进展 |
| 2.4.1 基于电子束辐照的原位研究 |
| 2.4.2 基于热场的原位研究 |
| 2.4.3 其他原位研究 |
| 第三章 无定形氧化硅表面生长晶体硅的原位研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.2.1 晶体硅颗粒的生长过程 |
| 3.2.2 晶体硅颗粒的生长条件 |
| 3.2.3 晶体硅的形成机理 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 原子尺度下生长过程中碳化硅表面结构演变的原位研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 β-SiC生长过程中表面结构演变 |
| 4.3.2 α-SiC生长过程中表面结构演变 |
| 4.3.3 SiC表面台阶聚并形成机理讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 原子尺度下刻蚀过程中碳化硅表面外延石墨烯的原位研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 石墨烯生长过程的实验观察 |
| 5.3.2 石墨烯生长过程的理论模拟 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（10）CVD法合成硫化钨及其合金材料的光电探测性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.1.1 石墨烯 |
| 1.1.2 以硅烯和锗烯为代表的其它第Ⅳ主族单元素材料 |
| 1.1.3 第Ⅲ-Ⅵ主族二维层状二元化合物 |
| 1.1.4 第Ⅴ主族单元素层状材料(P,As,Sb,Bi) |
| 1.1.5 过渡族金属卤化物层状材料 |
| 1.1.6 二维过渡金属硫族化合物(TMDC)材料 |
| 1.2 光电探测器 |
| 1.2.1 光电探测器的理论机制 |
| 1.2.2 基于二维TMDC的光电探测器 |
| 1.3 研究目的与意义 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 第2章 单层WS_2的CVD生长及其光电探测性能 |
| 2.1 实验相关的技术设备 |
| 2.2 CVD生长单层WS_2晶体 |
| 2.3 单层WS_2晶体样品表征 |
| 2.3.1 光学和荧光形貌表征 |
| 2.3.2 拉曼(Raman)和光致发光(PL)谱表征 |
| 2.3.3 原子力显微镜厚度表征 |
| 2.3.4 透射电子显微镜表征 |
| 2.4 单层WS_2的光电性能表征 |
| 2.4.1 器件微加工技术 |
| 2.4.2 场效应晶体管转移与输出曲线 |
| 2.4.3 光探测性能的重要参数 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 双层WS_2的CVD生长及其光电探测性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 双层WS_2的合成与表征 |
| 3.2.1 CVD生长双层WS_2的制备过程 |
| 3.2.2 双层WS_2的Raman和 PL表征 |
| 3.3 双层WS_2的光电探测性能研究 |
| 3.3.1 双层WS_2与单层WS_2场效应管电学性能对比 |
| 3.3.2 双层WS_2与单层WS_2光电探测性能对比 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 多层(2H和3R)WS_2的CVD生长及其光电探测性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 多层WS_2的合成与表征 |
| 4.2.1 CVD生长多层WS_2的制备过程 |
| 4.2.2 CVD生长多层WS_2的表征 |
| 4.2.3 多层WS_2的层数和堆垛效应 |
| 4.3 (2H和3R)WS_2的光电探测性能初步探究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金的CVD生长及其光电探测性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金的合成与表征 |
| 5.2.1 CVD一步法生长单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金 |
| 5.2.2 单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金的表征 |
| 5.3 单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金的光电探测性能研究 |
| 5.3.1 单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金电学性能研究 |
| 5.3.2 单层Mo_(1-x)W_xS_2 合金光电探测性能研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
四、碳化硅场效应晶体管技术与特性研究（论文参考文献）
- [1]SiC MOSFET功率器件标准研究[J]. 高伟,赵璐冰. 标准科学, 2021(12)
- [2]SiC MOSFET参数体系及测试方法研究[J]. 闫美存,张秋. 信息技术与标准化, 2021(09)
- [3]第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状[J]. 蔡蔚,孙东阳,周铭浩,郭庆波,高晗璎. 科技导报, 2021(14)
- [4]基于PVP纳米阵列与隧道结构共存的光调控有机场效应晶体管存储器[D]. 曹克阳. 南京邮电大学, 2021
- [5]微电子器件材料和工艺的专利分析[J]. 许景龙,刘佳. 中国发明与专利, 2021(06)
- [6]基于GaAs工艺的射频功率放大芯片设计[D]. 潘茂林. 南京邮电大学, 2020(03)
- [7]基于高空穴迁移率共轭聚合物的分子堆积行为和有机光电器件性能的研究[D]. 陈文鑫. 华南理工大学, 2020(02)
- [8]未来芯片技术发展态势分析[J]. 王立娜,唐川,徐婧. 世界科技研究与发展, 2020(01)
- [9]热场与电子束辐照作用下氧化硅及碳化硅表面结构演变的原位研究[D]. 余开浩. 东南大学, 2019(06)
- [10]CVD法合成硫化钨及其合金材料的光电探测性能研究[D]. 杨瑞龙. 燕山大学, 2019(03)